MRF89XAM9A-I/RM【PDF 25/34 页】IC TXRX MOD 915MHZ ULP SUB-GHZ

您好，
买卖IC网欢迎您。
请登录
免费注册

21页 22页 23页 24页 [25页]26页 27页 28页 29页

MRF89XAM9A

TABLE 4-4:

PLL PARAMETERS AC CHARACTERISTICS (1)

Symbol

FRO

BRFSK

BROOK

FDFSK

FXTAL

FSSTP

Parameter

Frequency Ranges

Bit Rate (FSK)

Bit Rate (OOK)

Frequency Deviation (FSK)

Crystal Oscillator Frequency

Frequency Synthesizer Step

Min

902

2

1.56

33

—

—

Typ

—

—

—

—

12.8

2

Max

928

200

28

200

—

—

Unit

MHz

kbps

kbps

kHz

MHz

kHz

Condition

—

NRZ

NRZ

—

—

Variable, depending on the

frequency

TSOSC

TSFS

Oscillator Wake-up Time

Frequency Synthesizer Wake-

—

—

1.5

500

5

800

ms

μs

From Sleep mode (1)

From Stand-by mode

up Time; at most, 10 kHz

away from the target

TSHOP

Frequency Synthesizer Hop

Time; at most, 10 kHz away

from the target

—

—

—

—

—

—

—

180

200

250

260

290

320

340

—

—

—

—

—

—

—

μs

μs

μs

μs

μs

μs

μs

200 kHz step

1 MHz step

5 MHz step

7 MHz step

12 MHz step

20 MHz step

27 MHz step

Note 1:

Guaranteed by design and characterization.

? 2011 Microchip Technology Inc.

Preliminary

DS75017A-page 23

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

*

*

*

相关PDF资料

MRX-001-433DR-B MODULE RECEIVER 433MHZ 18DIP

MRX-002-433DR-B MODULE RECEIVER 433MHZ 18DIP

MRX-002SL-433DR-B MODULE RCVR 433MHZ SAW LN 24DIP

MRX-005-915DR-B MODULE RECEIVER 915MHZ 18DIP

MRX-005SL-915DR-B MODULE RCVR 915MHZ SAW LN 24DIP

MRX-007-433DR-B MODULE RECEIVER 433MHZ 18DIP

MRX-008-433DR-B MODULE RECEIVER 433MHZ 18DIP

MRX-009-433DR-B MODULE RECEIVER 433MHZ 18DIP

相关代理商/技术参数

MRF89XAM9AT-I/RM 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:915 MHz Ultra Low-Power Sub-GHz Transceiver Module

MRF89XAT-I/MQ 功能描述:射频收发器 868/915/950 MHz Sub-GHz transceiver RoHS:否制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray

MRF8HP21080HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF8HP21080HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF8HP21080HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF8HP21080HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF8HP21130HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 130W NI780-4 RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

MRF8HP21130HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 130W NI780-4 RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray